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使用化學(xué)氣相沉積爐做實(shí)驗(yàn)時(shí)有如下幾個(gè)特點(diǎn)

時(shí)間:2021-12-15點(diǎn)擊次數(shù):1438
   CVD技術(shù)主要使用的設(shè)備是化學(xué)氣相沉積爐,該設(shè)備主要應(yīng)用于各種CVD實(shí)驗(yàn),也可用于真空燒結(jié)、真空氣氛保護(hù)燒結(jié)、納米材料制備、電池材料制備等多研究領(lǐng)域。
  化學(xué)氣相沉積是一種化工技術(shù),該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法?;瘜W(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機(jī)材料的新技術(shù)。化學(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機(jī)薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物,而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制?;瘜W(xué)氣相淀積已成為無機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域。
  使用化學(xué)氣相沉積爐做實(shí)驗(yàn)時(shí),有如下特點(diǎn):
  1、設(shè)備的工藝操作都較簡單、靈活性較強(qiáng),能制備出配比各異的單一或復(fù)合膜層和合金膜層;
  2、CVD法的使用性較廣泛,可制備各種金屬或金屬膜涂層;
  3、因沉積速率可高達(dá)每分鐘幾微米到數(shù)百微米,因此生產(chǎn)效率高;
  4、與PVD法相比較繞射性好,非常適宜涂覆形狀復(fù)雜的基本,如槽溝、涂孔甚至盲孔結(jié)構(gòu)均可鍍制成膜;
  5、涂層致密性好,由于成膜過程溫度較高,膜基界面上的附著力很強(qiáng),故膜層十分牢固;
  6、承受放射線輻射后的損傷較低,能與MOS集成電路工藝相融合。
  CVD技術(shù)的不足,一是沉積溫度高可達(dá)800-1100°C,在這樣高的溫度下工件易于變形,特別是對于那些不耐高溫變化的高精度尺寸的工件,對于其用途會(huì)受到一定的限制,二是由于參與沉積的反應(yīng)物質(zhì)及反應(yīng)后的氣體大都具有易燃、易爆、有毒或是一定腐蝕性,因此需要采取一定的防護(hù)措施。

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